目前全球95%以上的半導體元件,都是以代半導體材料硅作為基礎功能材料,不過隨著電動車、5G等新應用興起,硅基半導體受限硅材料的物理性質,在性能上有不易突破的瓶頸,因此以氮化鎵(100. 70J43中 華人民共和國國家標準GB/ T3045 — 2017代替 GB / T3045 — 2003普通磨料 碳化硅化學分析方法Conventionalabrasive — Chemicalanalysisofsilicon。
J43 中華人民共和國國家標準 GB/T30452003 代替GB/T30451989 普通磨料 碳化硅化學分析方法 AbrasivegrainsChemicalanalysisofsiliconcarbide 20031008發布提供全面的"碳化硅磨料"相關文獻(論文)下載,論文摘要免費查詢,碳化硅磨料論文全文下載提供PDF格式文件。碳化硅磨料中文、英文詞匯釋義(解釋),"碳化硅磨料"各類研究資料、。
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碳化硅磨料工藝學,【摘要】:碳化硅(SiC)作為代表性的第三代寬禁帶半導體材料,具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和遷移速度、低相對介電常數和耐高溫等特點,被認為是用作高收藏 分享 下載 舉報 用客戶端打開。
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